半導體壓力傳感器的結構和操作說明

傳感器芯片結構

在硅芯片受壓部（硅膜片）中，與通常的IC制造工序相同，通過雜質擴散形成硅量規。

當對硅芯片施加壓力時，表電阻根據撓度變化，并轉換為電信號。（抗磁阻效應）

該量規的特征在于較大的量規系數。（金屬規格為2到3，而硅規格為10到100）。

因此，可以獲得高輸出，從而可以用厚的膜片來制造并且可以改善壓力傳感器的耐壓性。

適用機型

半導體型壓力傳感器

VDP4，VSW2（低壓）等

半導體膜片式壓力傳感器的結構和操作說明

半導體膜片式壓力傳感器是直接接觸測量介質的高度耐腐蝕的金屬膜片（例如Hastelloy C-22或SUS316L），以及通過封閉的硅油檢測壓力的硅芯片（硅膜片）。 ）被使用。

SUS316L膜片（或Hastelloy C-22等）通過壓力入口與測量介質直接接觸，從而可以穩定地測量不會浸透的介質（空氣，水，油等）。 。[O形圈（氟橡膠）用于在連接螺紋形狀為G3 / 8時與管道進行密封。]

特色功能

可以制造可以測量正壓力，負壓力，復合壓力和絕對壓力的各種傳感器元件。

耐腐蝕性能極佳，因為直接接觸介質的受壓材料等效于Hastelloy C-22，并且可以用SUS316L制造。

厚厚的硅芯片隔膜可檢測壓力，因此具有出色的耐壓性

適用機型

半導體膜片式壓力傳感器

VESW，VESX，VESY，VESZ，VHR3，VHG3，VAR3，VAG3，VPRNP，VPNPR，VPNPG，VNF，HS1，HV1，AS1，AV1，NS1，NV1，VESI，VESV，VSW2，VST等

應變片式壓力傳感器的結構和操作說明

應變片式壓力傳感器的結構和操作說明

左圖所示的電阻橋粘貼在受壓部的金屬膜片的背面，將因壓力而變化的金屬膜片的變形量檢測為電壓變化。

由于在金屬膜片表面上存在變形量高低的地方，因此連接了四個電阻，因此，即使變形量存在偏差，也可以正確地檢測結構。

特色功能

無縫的隔膜和焊接的O型圈接頭，堅固耐用，使用壽命長

高精度，高溫（150℃）兼容生產

適用機型

應變片壓力傳感器

VSD4，NSMS-A6VB，HSSC，HSSC-A6V，VHS，VHST，HSMC2，HSMC，VPE，VPB，VPRT，VPRTF，VPRQ，VPRQF，VPVT，VPVTF，VPVQ，VPVQF，VPRF，VFM，VF ，VFS，VTRF，VPRF2，VPRH2等。

薄膜型壓力傳感器的結構和操作說明

薄膜型壓力傳感器的結構和操作說明

我們的薄膜型壓力傳感器是隔膜型，并使用金屬規格的薄膜。當從壓力入口施加壓力時，膜片變形，并且檢測到當在膜片上形成的金屬規薄膜變形時發生的電阻變化。

與應變計壓力傳感器相比，可以獲得高靈敏度的輸出，并且溫度系數小于半導體壓力傳感器的溫度系數。

特色功能

恒定的溫度系數，具有出色的溫度特性

長期穩定的輸出，幾乎沒有長期變化

能夠處理高溫（200°C）

適用機型

VSW2

測量原理

當輸入端有電流流動并且在金屬量規薄膜上施加壓力并發生變形時，它表現為輸出側電信號的變化。